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一种多层陶瓷电容，包含多层电介质主体，其系经由交替堆叠主要包含钛酸钡的电介质层与主要包含镍的内电极层所构成，其中存在包含以镁-矽-氧(Mg-Si-O)做为组成元素的第一异相。如申请专利范围第1项之多层陶瓷电容，其中第一异相存在于电介质层与内电极层间的介面或内电极层中。如申请专利范围第1项之多层陶瓷电容，其中第一异相进一步包含至少一项选自锰(Mn)及铬(Cr)的元素。如申请专利范围第2项之多层陶瓷电容，其中第一异相进一步包含至少一项选自锰(Mn)及铬(Cr)的元素。如申请专利范围第1项之多层陶瓷电容，其中包含铼-矽-氧(Re-Si-O)(其中Re代表一或多项选自钇(Y)、镝(Dy)及钬(Ho)的元素)的第二异相不存在于电介质层，或以少于第一异相的比例存在。如申请专利范围第5项之多层陶瓷电容，其中第二异相进一步包含钙(Ca)做为组成元素。如申请专利范围第1项之多层陶瓷电容，其中电介质包含SiO2及MgO做为第一次成分，且Si与Mg(Si/Mg)的组成比例<6。如申请专利范围第5项之多层陶瓷电容，其中电介质包含SiO2及MgO做为第一次成分，且Si与Mg(Si/Mg)的组成比例<6。如申请专利范围第7项之多层陶瓷电容，其中电介质包含稀土氧化物Re2O3做为第二次成分，Re与Mg(Re/Mg)的组成比例≦6。如申请专利范围第7项之多层陶瓷电容，其中电介质中MgO的含量为100摩尔钛酸钡的2.5摩尔或更少。如申请专利范围第8项之多层陶瓷电容，其中电介质中MgO的含量为100摩尔钛酸钡的2.5摩尔或更少。如申请专利范围第9项之多层陶瓷电容，其中电介质包含至少一项选自MnO及Cr2O3做为第三次成分。如申请专利范围第12项之多层陶瓷电容，其中电介质包含至少一项选自V2O5及MoO3做为第四次成分。如申请专利范围第1项之多层陶瓷电容，其中邻近内电极层间每一电介质的厚度为5μm或更薄，且组成电介质层之陶瓷微粒的平均微粒直径为0.055μm或更大。如申请专利范围第5项之多层陶瓷电容，其中邻近内电极层间每一电介质的厚度为5μm或更薄，且组成电介质层之陶瓷微粒的平均微粒直径为0.055μm或更大。如申请专利范围第1项之多层陶瓷电容，其中层压于内电极层间的电介质层数量为100或更多。一种多层陶瓷电容的制造方法，包含：经由交替堆叠主要包含钛酸钡之电介质的电介质层与主要包含镍之内电极层，而获得将成为多层电介质主体之绿色层状主体的形成步骤；经由于降低的气压中燃烧该绿色层状主体，并沈淀包含Mg-Si-O之第一异相做为电介质层中组成元素的燃烧步骤；及在低于燃烧步骤中温度，与高于燃烧步骤中氧气局部压力下，退火该燃烧层状主体的退火步骤。如申请专利范围第17项之多层陶瓷电容的制造方法，其中在该退火步骤中，第一异相被移至电介质层与内电极层间介面，或移至内电极层。 |
