Verfahren und System zur Materialcharakterisierung in Halbleiterstellungsprozessen auf der Grundlage von FTIR mit variablem Einfallswinkel

摘要

Während der Bearbeitung komplexer Halbleiterbauelemente können dielektrische Materialsysteme mit einer Struktur in einer zerstörungsfreien Weise analysiert werden unter Verwendung einer FTIR-Technik in Kombination mit mehreren Einfallswinkeln. Auf diese Weise können topographieabhängige Informationen erhalten werden und/oder die Datenanalyse kann effizienter gestaltet werden auf Grund der größeren Menge an Information, die durch die mehreren Einfallswinkel erhalten wird.