| 发明名称 | 掺铒氟化钆锂晶体及其生长方法 | ||
| 摘要 | 掺铒氟化钆锂晶体及其生长方法，属于光电子材料技术领域。现有掺铒氟化钇锂晶体因离子半径匹配方面的原因，掺杂浓度低；在生长这种晶体的过程中，由于氟化钇锂熔点高，原料挥发严重，难以生长出大尺寸的晶体。本发明之掺铒氟化钆锂晶体属于四方晶系，以稀土铒为激活离子，所述掺铒氟化钆锂晶体分子式为Er:LiGdF4，晶体基质为氟化钆锂；其生长方法特征在于LiF按LiF∶GdF3＝16.5～17∶7.76～8过量加入，晶体生长工艺参数确定为提拉速度：0.3～0.8mm/h，旋转速度：3～10rpm，生长温度：745～755℃。掺铒氟化钆锂晶体是一种激光晶体，适用于大功率固体激光器。 | ||
| 申请公布号 | CN101864595A | 申请公布日期 | 2010.10.20 |
| 申请号 | CN201010192338.3 | 申请日期 | 2010.06.07 |
| 申请人 | 长春理工大学 | 发明人 | 刘景和;李春;曾繁明;张学建;张莹;林海;金银锁;秦杰明;董仲伟;董国飞 |
| 分类号 | C30B29/12(2006.01)I;C30B15/00(2006.01)I;C30B33/02(2006.01)I | 主分类号 | C30B29/12(2006.01)I |
| 代理机构 | 长春科宇专利代理有限责任公司 22001 | 代理人 | 曲博 |
| 主权项 | 一种掺铒氟化钆锂晶体，属于四方晶系，以稀土铒为激活离子，其特征在于，所述掺铒氟化钆锂晶体分子式为Er:LiGdF4，晶体基质为氟化钆锂。 | ||
| 地址 | 130022 吉林省长春市朝阳区卫星路7989号 | ||