| 发明名称 | 半导体集成电路器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 在当前LSI或者半导体集成电路器件制造工艺中，在组装器件的步骤(比如树脂密封步骤)之后通常为在高温度(比如近似范围从85℃至130℃)和高湿度(比如约为80％RH)的环境中的电压施加测试(高温度和高湿度测试)。对于该测试，本发明的发明人在高温度和高湿度测试期间发现作为抗反射膜的氮化钛膜从上方膜出现分离以及在施加有正电压的基于铝的键合焊盘的上表面的边缘部分在氮化钛膜中生成裂缝这一现象，该现象归因于由潮气经过密封树脂等侵入生成氮化钛膜的氧化和膨胀引起的电化学反应。本申请的一项发明在于在基于铝的键合焊盘的外围区域以环或者缝形状去除焊盘之上的氮化钛膜。 | ||
| 申请公布号 | CN101866866A | 申请公布日期 | 2010.10.20 |
| 申请号 | CN201010162093.X | 申请日期 | 2010.04.15 |
| 申请人 | 瑞萨电子株式会社 | 发明人 | 本间琢朗;堀田胜彦;森山卓史 |
| 分类号 | H01L21/60(2006.01)I;H01L23/485(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/60(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人 | 王茂华;郑菊 |
| 主权项 | 一种半导体集成电路器件，包括：(a)半导体芯片，具有第一主表面和第二主表面；(b)在所述半导体芯片的所述第一主表面之上提供的基于铝的金属膜图案；(c)氮化钛膜，覆盖所述基于铝的金属膜图案的上表面；(d)绝缘表面保护膜，覆盖包括所述氮化钛膜的上表面的所述半导体芯片的所述第一主表面；(e)键合焊盘开口，形成于所述绝缘表面保护膜中；(f)第一开口部分，对应于键合焊盘开口形成于所述氮化钛膜中；以及(g)第二开口部分，在所述第一开口部分的附近形成于所述氮化钛膜中。 | ||
| 地址 | 日本神奈川县 | ||