发明名称 |
发光元件、发光器件和电子设备 |
摘要 |
本发明提供了一种发光元件、发光器件和电子设备,其在一对电极之间具有含有芳族烃和金属氧化物的层。对芳族烃的种类没有什么特殊限制;但是,具有1×10-6cm2/Vs或更大的空穴迁移率的芳族烃是优选的。作为这样的芳族烃,例如2-叔丁基-9,10-双(2-萘基)蒽、蒽、9,10-二苯蒽、并四苯、红荧烯、二萘嵌苯、2,5,8,11-四(叔丁基)二萘嵌苯等等。作为金属氧化物,展示出对芳族烃的电子接受属性的金属氧化物是优选的。作为这样的金属氧化物例如给出氧化钼、氧化钒、氧化钌、氧化铼等等。 |
申请公布号 |
CN101867019A |
申请公布日期 |
2010.10.20 |
申请号 |
CN201010150729.9 |
申请日期 |
2006.04.17 |
申请人 |
株式会社半导体能源研究所 |
发明人 |
岩城裕司;濑尾哲史;川上贵洋;池田寿雄;坂田淳一郎 |
分类号 |
H01L51/50(2006.01)I;H01L51/54(2006.01)I;H01L27/32(2006.01)I |
主分类号 |
H01L51/50(2006.01)I |
代理机构 |
中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 |
代理人 |
付建军 |
主权项 |
一种发光器件,包括:第一电极;第二电极;以及形成在第一电极和第二电极之间的发光层和混合层,其中该混合层包括芳族烃和金属氧化物。 |
地址 |
日本神奈川 |