发明名称 一种硅单晶炉热场系统的改进方法
摘要 本发明涉及一种硅单晶炉热场系统的改进方法,改进设计针对目前普遍使用的硅单晶炉且在维持原炉腔结构下进行,包括:加大保温筒、加热器的直径,加大坩埚的直径和高度,加大导流筒的直径和高度,并相应地加大埚托直径和厚度,调整托杆的尺寸以及石墨电极的直径和高度;保温层采用碳纤维固体毡并分设为上保温套、中保温套和下保温套;在保温盖上面设置挡圈。可实现硅单晶炉投料量增加,所生产的单晶硅棒直径加大和/或长度增长,从而提高成品太阳能电池的效能,提高硅材料利用率,降低单位能耗,提高生产效率,降低生产成本。
申请公布号 CN101864591A 申请公布日期 2010.10.20
申请号 CN201010194521.7 申请日期 2010.06.04
申请人 浙江芯能光伏科技有限公司 发明人 屠勇勇;李金甫
分类号 C30B15/00(2006.01)I;C30B29/06(2006.01)I 主分类号 C30B15/00(2006.01)I
代理机构 浙江杭州金通专利事务所有限公司 33100 代理人 吴关炳
主权项 一种硅单晶炉热场系统的改进方法,所述热场系统位于硅单晶炉炉腔内,包括石墨电极、加热器、坩埚、导流筒、保温筒、保温盖、保温层、埚托和托杆;其特征在于,所述的改进在维持所述硅单晶炉炉腔结构下进行,包括:(1)加大所述保温筒的直径,当所述保温筒外侧设置保温层后,所述保温层与所述硅单晶炉炉腔内壁间留有一定间隙,间隙小但不相接触,使热场系统具有良好的保温性能;(2)加大所述加热器的直径,使其与所述保温筒相适应;(3)加大所述坩埚的直径和高度,使其与所述加热器相适应,并所述坩埚的上端面设置于所述加热器的上端面以下;(4)加大所述导流筒的直径和高度,并设置所述导流筒的下端面恰好在所述坩埚的上端面以下;(5)相应地加大所述埚托直径和厚度,使其与所述坩埚相适应;(6)相应地调整所述托杆的尺寸;(7)相应地调整所述石墨电极的直径和高度。
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