| 发明名称 | 半导体存储器及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供了半导体存储器及其制造方法。这里所公开的半导体存储器包括：第一MOS晶体管，其形成在半导体基板上并具有两个扩散层；第二MOS晶体管，其形成在半导体基板上，并且具有第一MOS晶体管的两个扩散层之一，作为第一和第二MOS晶体管的公共扩散层；以及可变电阻元件，其形成在侧壁绝缘膜之间并被连接到公共扩散层，所述侧壁绝缘膜形成在第一MOS晶体管的第一栅电极和第二MOS晶体管的第二栅电极的各自的侧壁上。 | ||
| 申请公布号 | CN101866940A | 申请公布日期 | 2010.10.20 |
| 申请号 | CN201010145630.X | 申请日期 | 2010.04.09 |
| 申请人 | 索尼公司 | 发明人 | 青屉浩 |
| 分类号 | H01L27/24(2006.01)I;H01L45/00(2006.01)I;H01L21/82(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/24(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 11258 | 代理人 | 宋鹤;南霆 |
| 主权项 | 一种半导体存储器，包括：第一MOS晶体管，其形成在半导体基板上并具有两个扩散层；第二MOS晶体管，其形成在所述半导体基板上，并且具有所述第一MOS晶体管的所述两个扩散层之一作为所述第一和第二MOS晶体管的公共扩散层；以及可变电阻元件，其形成在侧壁绝缘膜之间并被连接到所述公共扩散层，所述侧壁绝缘膜形成在所述第一MOS晶体管的第一栅电极和所述第二MOS晶体管的第二栅电极的各自的侧壁上。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||