发明名称 |
自对准硅化物区域阻挡膜的结构及其制程方法 |
摘要 |
本发明公开了一种自对准硅化物区域阻挡膜的结构及其制程方法,该制程方法应用于覆盖非自对准金属硅化物器件的制程中,将富硅氧化物SRO膜沉积于有源区、多晶硅栅极以及隔离区之上,所述沉积厚度在50埃至150埃之间;在所述SRO膜上涂布光阻胶,对所述光阻胶进行曝光显影,形成图案化的光阻胶;以图案化的光阻胶为掩膜,刻蚀所述SRO膜。该结构包括厚度在50埃至150埃之间的SRO膜。本发明还公开了一种自对准硅化物区域阻挡膜的结构及其制程方法。采用该结构及其制程方法能够有效解决刻蚀自对准硅化物区域阻挡膜时出现的STI loss、过刻蚀半导体衬底以及损伤侧壁层的问题。 |
申请公布号 |
CN101866850A |
申请公布日期 |
2010.10.20 |
申请号 |
CN200910082350.6 |
申请日期 |
2009.04.14 |
申请人 |
中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
发明人 |
李敏;吴永玉 |
分类号 |
H01L21/316(2006.01)I;H01L21/311(2006.01)I;H01L23/52(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/316(2006.01)I |
代理机构 |
北京德琦知识产权代理有限公司 11018 |
代理人 |
牛峥;王丽琴 |
主权项 |
一种自对准硅化物区域阻挡膜SAB的制程方法,应用于覆盖非自对准金属硅化物器件的制程中,该方法包括:将富硅氧化物SRO膜沉积于有源区、多晶硅栅极以及隔离区之上,所述沉积厚度在50埃至150埃之间;在所述SRO膜上涂布光阻胶,对所述光阻胶进行曝光显影,形成图案化的光阻胶;以图案化的光阻胶为掩膜,刻蚀所述SRO膜。 |
地址 |
100176 北京市经济技术开发区文昌大道18号 |