高温晶片的传送

摘要

本发明提供了允许在高温下在气相外延生长室中加载和卸载晶片的设备、协议和方法。具体而言，本发明提供了一种用于移动晶片或者衬底的装置，该装置能够将正被移动的衬底浸浴在活性气体中，任选地对该活性气体的温度进行控制。活性气体可用于限制或者防止晶片表面发生升华或分解，并且可对活性气体进行温度控制，以限制或者防止热损坏。因此，可以减小或者消除生长室之前必要的温度升降，从而提高晶片生产量和系统效率。

主权项

一种在半导体处理设备中使用的半导体晶片传送装置，所述半导体处理设备具有用于气相外延淀积的生长室，所述半导体晶片传送装置包括：支撑构件；位于所述支撑构件中的多个气体出口，所述多个气体出口用于排出气体；位于所述支撑构件中的至少一个气体入口，所述至少一个气体入口用于从一个或更多个外部气体源接收一种或更多种气体；以及从所述入口到所述出口的至少一个通道，气体在所述至少一个通道中流动，所述气体包括针对一种或更多种半导体材料具有化学反应性的活性气体，以便限制包含这种材料的晶片表面分解或升华。