Bewahren der Integrität eines Gatestapels mit großemεdurch einen Versatzabstandshalter, der zum Bestimmen eines Abstandes einer verformungsinduzierenden Halbleiterlegierung verwendet wird

摘要

In komplexen Transistorelementen mit einem Gartenmetallstapel mit großem ε wird die Integrität der empfindlichen Gatematerialien durch ein Abstandshalterelement gewährleistet, das gleichzeitig als ein Versatzabstandshalter zum Definieren eines lateralen Abstands einer verformungsinduzierenden Halbleiterlegierung verwendet wird. Das Deckmaterial des komplexen Gatestapels wird entfernt, ohne dass die Integrität des Versatzabstandshalters beeinträchtigt wird, indem ein Opferabstandshalterelement vorgesehen wird. Folglich wird ein effizienter verformungsinduzierender Mechanismus in Verbindung mit dem Vorsehen eines komplexen Gatestapels mit der erforderlichen Materialintegrität erreicht, wobei auch die Gesamtprozesskomplexität im Vergleich zu konventionellen Strategien verringert wird.