| 发明名称 | 基板处理方法以及用该方法进行处理而形成的基板 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种可减少工序的数量并在基板表面上形成凹凸结构的基板处理方法。在本发明的基板处理方法中，在基板(10)的表面(10s)上分散粒子(11)，以粒子为掩膜对基板的表面进行蚀刻处理并在基板的表面上形成凹凸结构，与此同时，通过上述蚀刻处理除去掩膜(11)。若采用上述基板处理方法，不需要在形成凹凸结构(12)后再从基板表面(10s)上除去掩膜(11)的工序。所以该方法可以大幅减少在基板表面上形成凹凸结构时所需的工序的数量，从而能够大幅提高生产效率。 | ||
| 申请公布号 | CN101861640A | 申请公布日期 | 2010.10.13 |
| 申请号 | CN200880116198.2 | 申请日期 | 2008.11.13 |
| 申请人 | 株式会社爱发科 | 发明人 | 崎尾进;竹井日出夫;齐藤一也;渡边一弘;井口真介;山川洋幸;中村久三;林郁欣;张晃崇;吴东荣 |
| 分类号 | H01L21/3065(2006.01)I;H01L31/04(2006.01)I;H01L33/00(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/3065(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京华夏正合知识产权代理事务所(普通合伙) 11017 | 代理人 | 韩登营;栗涛 |
| 主权项 | 一种基板处理方法，其特征在于，在上述基板的表面上分散附着粒子，以该粒子为掩膜对上述基板的表面进行蚀刻处理而在上述基板的表面上形成凹凸结构，与此同时，通过上述蚀刻处理除去上述掩膜。 | ||
| 地址 | 日本神奈川县 | ||