发明名称 混合式承载器及其制造方法
摘要 本发明关于一种混合式承载器及其制造方法。该混合式承载器具有数个内引脚,故打线半导体装置或覆晶装置可设置于该混合式承载器上,且电性连接该混合式承载器的芯片承座及导脚。并且,该半导体装置可容易地设置于该混合式承载器上,且可简单地电性连接该混合式承载器及该半导体装置。因此,本发明的混合式承载器及其制造方法可容易地应用于区域数组金属晶圆级封装,并且,本发明的混合式承载器制造方法简单,故可降低生产成本。
申请公布号 CN101859712A 申请公布日期 2010.10.13
申请号 CN200910133162.1 申请日期 2009.04.07
申请人 日月光半导体制造股份有限公司 发明人 尹晟豪;金炯鲁
分类号 H01L21/48(2006.01)I;H01L21/60(2006.01)I;H01L23/48(2006.01)I;H01L23/12(2006.01)I 主分类号 H01L21/48(2006.01)I
代理机构 上海专利商标事务所有限公司 31100 代理人 陆勍
主权项 一种混合式承载器的制造方法,包括以下步骤:(a)提供一基板,该基板依序具有一第一导电层、一介电层及一中介导电层,该介电层具有一第一区域及一第二区域,该第一区域位于该介电层之中间部分,该第二区域位于该第一区域的周围;(b)移除部分该中介导电层及部分该介电层,以分别于该第一区域及该第二区域形成至少一第一开孔及数个第二开孔,以显露部分该第一导电层;(c)形成一种子金属层,该种子金属层覆盖该中介导电层、该介电层及该第一导电层;(d)形成一第二导电层,该第二导电层具有一第一部分及一第二部分,该第一部分及该第二部分分别位于该第一区域及该第二区域上,其分别覆盖该第一开孔及这些第二开孔中的该种子金属层,且显露部分该种子金属层,该第二导电层实质上高于该种子金属层;(e)移除显露的该种子金属层及其下方的该中介导电层;及(f)移除部分该第一导电层,其相对于显露的该种子金属层。
地址 中国台湾高雄市楠梓加工出口区经三路26号
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