发明名称 |
光检测电路和电子设备 |
摘要 |
本发明提供光检测电路和电子设备,其消耗电流极小。作为解决手段,构成为:具有栅极分别与相对的P沟道MOS晶体管的漏极连接的2个相对的P沟道MOS晶体管,一个P沟道MOS晶体管的漏极利用N沟道MOS晶体管的导通电流而放电,该N沟道MOS晶体管根据由光发电元件产生的电压而导通,另一个P沟道MOS晶体管的漏极利用耗尽型N沟道MOS晶体管的导通电流而放电,该耗尽型N沟道MOS晶体管的栅极被输入基准电源端子的电压,源极被输入由光发电元件产生的电压。 |
申请公布号 |
CN101858784A |
申请公布日期 |
2010.10.13 |
申请号 |
CN201010163584.6 |
申请日期 |
2010.04.13 |
申请人 |
精工电子有限公司 |
发明人 |
宇都宫文靖 |
分类号 |
G01J1/44(2006.01)I;H03K17/94(2006.01)I;H02M3/155(2006.01)I |
主分类号 |
G01J1/44(2006.01)I |
代理机构 |
北京三友知识产权代理有限公司 11127 |
代理人 |
黄纶伟;吕俊刚 |
主权项 |
一种光检测电路,该光检测电路具有当入射的光量多时发电电力增加的光发电元件,并利用该光发电元件的发电电力量来检测入射的光量,其特征在于,该光检测电路具有:第1P沟道MOS晶体管,其利用导通电流对输出端子进行充电;第2P沟道MOS晶体管,其利用导通电流对第1节点进行充电;第1N沟道MOS晶体管,其栅极被输入由所述光发电元件的发电电力产生的电压,利用导通电流使所述输出端子放电;以及第1耗尽型N沟道MOS晶体管,其栅极被输入基准电源端子的电压,源极被输入由所述光发电元件的发电电力产生的电压,利用导通电流使所述第1节点放电,该光检测电路构成为:在由所述光发电元件的发电电力产生的电压高的情况下,所述第1N沟道MOS晶体管导通,所述第1耗尽型N沟道MOS晶体管截止,所述第1P沟道MOS晶体管截止,所述第2P沟道MOS晶体管导通,在由所述光发电元件的发电电力产生的电压低的情况下,所述第1N沟道MOS晶体管截止,所述第1耗尽型N沟道MOS晶体管导通,所述第1P沟道MOS晶体管导通,所述第2P沟道MOS晶体管截止。 |
地址 |
日本千叶县 |