发明名称 形成图案的方法、半导体装置及其制造方法
摘要 本发明提供了一种形成图案、半导体装置及其制备方法。该形成图案的方法包括通过涂敷液体组合物在第一板上形成导电膜的步骤。该液体组合物包括有机溶剂和用脂肪酸或者脂肪胺表面改性的导电粒子。然后,通过将表面上具有凹凸图案的第二板压在表面上具有导电膜的第一板的表面上,在第一板上形成作为第一图案的反转图案的第二图案。然后,导电膜的第一图案转移到第二板的凸起顶表面上。然后,通过将表面上具有第二图案的第一板的表面压在转移基板的表面上,将第二图案转移到转移基板的表面上。
申请公布号 CN101290870B 申请公布日期 2010.10.13
申请号 CN200810092623.0 申请日期 2008.04.16
申请人 索尼株式会社 发明人 野元章裕;野本和正;福田敏生
分类号 H01L21/00(2006.01)I;H01L21/02(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I 主分类号 H01L21/00(2006.01)I
代理机构 北京市柳沈律师事务所 11105 代理人 彭久云
主权项 一种形成图案的方法,包括如下步骤:通过在第一板上涂敷液体组合物形成导电膜,该液体组合物包括有机溶剂和用脂肪酸或者脂肪胺表面改性的导电粒子;通过将表面上具有凹凸图案的第二板压在该第一板的形成有该导电膜的表面上,并且将该导电膜的第一图案转移到该第二板的凸起顶表面上,从而在该第一板上形成为该第一图案的反转图案的第二图案,其中该第二板的表面材料比该第一板的具有更低的表面张力;以及通过将该第一板的形成有该第二图案的表面压在转移基板的表面上,将该第二图案转移到该转移基板的表面上,其中该转移基板的表面材料比该第一板的具有更低的表面张力。
地址 日本东京都