基板处理装置和基板处理方法

摘要

本发明提供一种基板处理装置和基板处理方法。在基板处理装置中，将成膜安装和用于进行退火处理的热处理装置与真空输送室气密地连接，并且，在真空输送室内设有作为自转机构的旋转工作台。对晶圆供给BTBAS气体，并使该气体吸附于晶圆，接着，将会与BTBAS气体反应，生成带有流动性的硅氧烷聚合物的乙醇气体和氧化硅氧烷聚合物的O3气体按该顺序供给晶圆，进行成膜处理，并且在该成膜处理的过程中，从成膜装置取出晶圆，使基板旋转，改变其方向，并进行退火处理，以使反应生成物致密化。

主权项

一种基板处理装置，其在真空容器内按顺序将互相反应的至少两种反应气体供给到基板表面上且通过执行该供给循环而层叠反应生成物的层来形成薄膜，其特征在于，该基板处理装置包括：成膜装置，用于对于基板进行成膜处理；真空输送室，与该成膜装置气密地连接；输送部件，设于该真空输送室内，用于在上述成膜装置与该真空输送室之间输送基板；热处理装置，其包括与上述真空输送室气密地连接、在内部设有基板载置台的处理容器，和设于该处理容器内、用于对上述基板载置台上的基板进行热处理的部件；自转机构，设于上述真空输送室内或上述热处理装置内，用于使载置在上述输送部件上的基板绕铅垂轴线自转；控制部，输出控制信号，以对基板进行薄膜形成处理，上述成膜装置包括：设于上述真空容器内的工作台；多个反应气体供给部件，以与上述工作台的上表面相对且在工作台的周向上互相分开的方式设置，用于向基板表面分别供给多种反应气体；分离区域，为了划分自上述多个反应气体供给部件分别供给反应气体的多个处理区域之间的气氛，该分离区域在上述工作台的周向上设于上述处理区域之间，用于自分离气体供给部件供给分离气体；旋转机构，用于使上述反应气体供给部件及分离气体供给部件与上述工作台之间绕铅垂轴线相对旋转；基板载置区域，沿上述旋转机构的旋转方向地形成在上述工作台上，能够在该旋转机构的旋转带动下使基板按顺序位于上述多个处理区域以及上述分离区域中；真空排气部件，对上述真空容器内进行真空排气，上述控制部输出控制信号，从而停止在薄膜形成处理的过程中由上述旋转机构带来的相对旋转，利用上述输送部件从上述真空容器取出基板，利用上述自转机构改变基板的方向。