发明名称 基板的分割方法
摘要 本发明提供一种能防止碎屑或破裂的发生、使基板薄型化并将基板分割的基板的分割方法。该基板的分割方法的特征在于,具有:通过在表面(3)形成功能元件(19)的半导体基板(1)的内部,使聚光点聚合并照射激光,在半导体基板(1)的内部形成含由多光子吸收生成的溶融处理领域的调质领域,通过含该溶融处理领域的调质领域,形成切割起点领域的工序;以及在形成切割起点领域后,研磨半导体基板(1)的背面(21)使半导体基板(1)成为规定的厚度的工序。
申请公布号 CN101335235B 申请公布日期 2010.10.13
申请号 CN200710182348.7 申请日期 2003.03.06
申请人 浜松光子学株式会社 发明人 藤井义磨郎;福世文嗣;福满宪志;内山直己
分类号 H01L21/78(2006.01)I;H01L21/301(2006.01)I;B23K26/06(2006.01)I;B23K26/40(2006.01)I;B23K101/40(2006.01)N 主分类号 H01L21/78(2006.01)I
代理机构 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 代理人 龙淳
主权项 一种半导体基板的分割方法,其特征在于,将在表面上以矩阵状形成有多个功能元件的半导体基板,针对所述各功能元件进行分割,而获得半导体芯片,所述基板的分割方法具有:使聚光点聚合于所述半导体基板的内部并照射激光,沿被设定成在相邻的所述功能元件间通行的格子状的切割预定线,在所述半导体基板的内部,形成作为切割起点区域的熔融处理区域,从而使以所述切割起点区域为起点而产生的裂纹到达所述半导体基板的所述表面,而不使其到达所述半导体基板的背面的工序;和在形成所述熔融处理区域之后,对所述半导体基板的所述背面实施蚀刻,使以所述切割起点区域为起点而产生的所述裂纹到达所述半导体基板的所述背面,从而将所述半导体基板分割成所述半导体芯片的工序。
地址 日本静冈县