发明名称 一种高低压转换电路
摘要 本发明公开了一种高低压转换电路,属于集成电路技术领域,包括基准电流产生电路、低压产生电路和输出稳压电路;其中,基准电流产生电路为低压产生电路提供基准电流;所述低压产生电路包括寄生PNP、补偿电阻和低压MOS管,寄生PNP、补偿电阻和低压MOS管为输出稳压电路提供稳定的驱动电压;所述驱动电压通过第一电流镜、在输出稳压电路中通过稳压电容输出稳定的低压。本发明所述的高低压转换电路不需要使用齐纳二极管,均使用MOS管、三极管、电阻和电容等标准器件,不需要额外定制,降低了芯片成本和调试费用。
申请公布号 CN101458541B 申请公布日期 2010.10.13
申请号 CN200910000366.8 申请日期 2009.01.07
申请人 深圳市明微电子股份有限公司 发明人 王乐康;李照华;王蒙
分类号 G05F3/26(2006.01)I 主分类号 G05F3/26(2006.01)I
代理机构 北京英特普罗知识产权代理有限公司 11015 代理人 孙丽芳
主权项 一种高低压转换电路,包括基准电流产生电路、低压产生电路和输出稳压电路;其中,基准电流产生电路为低压产生电路提供基准电流;所述低压产生电路包括为输出稳压电路提供稳定的驱动电压的寄生PNP、补偿电阻和低压MOS管;所述驱动电压通过第一电流镜,在输出稳压电路中通过稳压电容输出稳定的低压;所述的第一电流镜包括低压产生电路上的第十NMOS管(M210)和输出稳压电路上的第十一NMOS管(M211);其中,第十NMOS管的栅极与漏极连接在一起,所述基准电流输入其漏极;第十一NMOS管(M211)的漏极接入输入电压,源极与地之间接入所述稳压电容;低压产生电路包括二个低压MOS管,分别为第八MOS管和第九MOS管,二者各自的栅极与漏极连接在一起,第八MOS管与第十NMOS管(M210)的源极和第九MOS管的连接关系保证第八MOS管和第九MOS管的栅源电压处于二者的导通状态;第九MOS管与寄生PNP的发射极之间连接所述补偿电阻,寄生PNP的集电极和基极接地;所述输出稳压电路和低压产生电路之间增加负载补偿电路;其特征在于:所述负载补偿电路包括第六电流镜,所述第六电流镜包括第十三PMOS管(M213)和第十四PMOS管(M214),二者的源极均接入输入电压,二者的栅极彼此连接在一起,第十四PMOS管(M214)的栅极与漏极连接在一起;第十三PMOS管(M213)的漏极与第十NMOS管(M210)的栅极电连接,第十四PMOS管(M214)的漏极与一第十二NMOS管(M212)的漏极电连接,所述第十二NMOS管(M212)的栅极与第十NMOS管(M210)的栅极电连接,源极与第十一NMOS管(M211)的源极电连接。
地址 518000 广东省深圳市南山区高新技术产业园南区高新南一道国微大厦五楼
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