发明名称 发光元件、发光装置及电气设备
摘要 本发明的发光元件包括阳极、阴极、及阳极和阴极之间的包含具有下述通式(1)所示结构的有机金属络合物的层,<img file="201010161317.5_AB_0.GIF" wi="292" he="148" />式中R<sup>1</sup>~R<sup>5</sup>表示选自氢、卤素、酰基、烷基、烷氧基、芳基、氰基和杂环残基的任一种,Ar表示具有卤素基团或卤代烷基的芳基、或者具有卤素基团或卤代烷基的杂环残基,M表示第9族元素。
申请公布号 CN101859877A 申请公布日期 2010.10.13
申请号 CN201010161317.5 申请日期 2004.11.29
申请人 株式会社半导体能源研究所 发明人 井上英子;瀬尾哲史;下垣智子;安部寛子
分类号 H01L51/50(2006.01)I;H01L51/54(2006.01)I;H01L51/56(2006.01)I;H01L27/32(2006.01)I;C07F15/00(2006.01)I;C09K11/06(2006.01)I 主分类号 H01L51/50(2006.01)I
代理机构 上海专利商标事务所有限公司 31100 代理人 刘多益
主权项 1.发光元件,包括:阳极;阴极;及阳极和阴极之间的包含具有下述通式(1)所示结构的有机金属络合物的层,<img file="FSA00000086268600011.GIF" wi="1127" he="584" />式中R<sup>1</sup>~R<sup>5</sup>表示选自氢、卤素、酰基、烷基、烷氧基、芳基、氰基和杂环残基的任一种,Ar表示具有卤素基团或卤代烷基的芳基、或者具有卤素基团或卤代烷基的杂环残基,M表示第9族元素。
地址 日本神奈川县