发明名称 |
发光元件、发光装置及电气设备 |
摘要 |
本发明的发光元件包括阳极、阴极、及阳极和阴极之间的包含具有下述通式(1)所示结构的有机金属络合物的层,<img file="201010161317.5_AB_0.GIF" wi="292" he="148" />式中R<sup>1</sup>~R<sup>5</sup>表示选自氢、卤素、酰基、烷基、烷氧基、芳基、氰基和杂环残基的任一种,Ar表示具有卤素基团或卤代烷基的芳基、或者具有卤素基团或卤代烷基的杂环残基,M表示第9族元素。 |
申请公布号 |
CN101859877A |
申请公布日期 |
2010.10.13 |
申请号 |
CN201010161317.5 |
申请日期 |
2004.11.29 |
申请人 |
株式会社半导体能源研究所 |
发明人 |
井上英子;瀬尾哲史;下垣智子;安部寛子 |
分类号 |
H01L51/50(2006.01)I;H01L51/54(2006.01)I;H01L51/56(2006.01)I;H01L27/32(2006.01)I;C07F15/00(2006.01)I;C09K11/06(2006.01)I |
主分类号 |
H01L51/50(2006.01)I |
代理机构 |
上海专利商标事务所有限公司 31100 |
代理人 |
刘多益 |
主权项 |
1.发光元件,包括:阳极;阴极;及阳极和阴极之间的包含具有下述通式(1)所示结构的有机金属络合物的层,<img file="FSA00000086268600011.GIF" wi="1127" he="584" />式中R<sup>1</sup>~R<sup>5</sup>表示选自氢、卤素、酰基、烷基、烷氧基、芳基、氰基和杂环残基的任一种,Ar表示具有卤素基团或卤代烷基的芳基、或者具有卤素基团或卤代烷基的杂环残基,M表示第9族元素。 |
地址 |
日本神奈川县 |