| 主权项 |
一种用于程式化一记忆体系统之方法，该系统包含用于储存不同电荷状态之电荷储存电晶体之串，该等串包括一第一串及一第二串，其每一者连接于复数个位元线中之一者与一源极线之间且系由共同字线加以控制，该等串中之每一者包括一连接至该源极线之源极选择电晶体，该方法包含：将一程式电压施加至一耦接至该第一串中之一选定电荷储存电晶体的选定字线以程式化该选定电晶体；藉由该等共同字线将一第一升压电压或一或多个第二升压电压耦合至该第二串中之该等电晶体中的至少部份电晶体以将该第二串中之电晶体通道区域的一或多个电位升压至更接近该程式电压的一或多个值以减少程式干扰，其中该第一升压电压耦合至邻近该选定字线的该第二串中之一第一电荷储存电晶体，且该或该等第二升压电压耦合至除了耦合至该选定字线的电晶体之外的该第二串中之剩余电晶体，该第一升压电压不同于该或该等第二升压电压。如请求项1之方法，其中该第一升压电压低于该或该等第二升压电压。如请求项1之方法，其中该施加将该程式电压相继地施加至复数个该等共同字线以在连续程式化循环中依次程式化该第一串中之选定电晶体，且其中在该等程式化循环中之至少某些程式化循环中，该第一升压电压低于该或该等第二升压电压。如请求项1之方法，其中该施加将该程式电压施加至一第一字线，且该第一升压电压系施加至邻近该第一字线且在该第一字线与连接至该第二串的该位元线之间的该共同字线。如请求项1之方法，其进一步包含经由该等共同字线中之一或多者而将一或多个正电压耦合至该第一串中之在该选定电晶体与该等位元线中之一第一位元线之间的一或多个电晶体及耦合至该第二串中之在该选定字线与该等位元线中之一第二位元线之间的一或多个电晶体，以使得该第一位元线上之一电压转移至该选定电晶体之该通道区，且使得由该施加导致的该第二串中一耦合至该选定字线之电晶体的通道电压之升压得以减小，从而减小或防止该第二串中之在该选定字线与该源极线之间的一电晶体之该汲极侧处的崩溃。如请求项5之方法，其中该正电压在一约0伏特与该第一升压电压或该第二升压电压之间的范围内。如请求项1之方法，其中该耦合被执行在当该程式电压位准被施加时。一种程式化一记忆体系统的方法，该系统包含用于储存不同电荷状态之电荷储存电晶体之串，该等串包括一第一串及一第二串，其每一者连接于复数个位元线中之一者与一源极线之间且系由共同字线加以控制，该等串中之每一者包括一连接至该源极线之源极选择电晶体，该方法包含：将一程式电压施加至一耦接至该第一串中之一选定电荷储存电晶体的选定字线以程式化该选定电晶体；藉由该等共同字线将第一或第二升压电压耦合至该第二串中之该等电晶体中的至少某些电晶体以将该第二串中之电晶体通道区域的一或多个电位升压至更接近该程式电压的一或多个值以减少程式干扰，其中不同的该第一升压电压连接至二电荷储存电晶体，在每一侧上各连接一个，并相邻于该选定的字线，该第二升压电压耦合至该第二串中之剩余电晶体的至少部分电晶体，该第一升压电压与该或该等第二升压电压不同。如请求项8之方法，其中该等第一升压电压比该或该等第二电压低。如请求项8之方法，其中该耦合被执行在当该程式电压位准被施加时。如请求项8之方法，其中该耦合将该第二升压电压耦合至该第二串中之在该选定字线与该位元线之间的所有该等剩余电晶体。 |
