| 主权项 |
一种阵列式微气室过电压保护装置，系包含：一第一基材；一设于该第一基材上的第二基材；一设于该第二基材上之第三基材；以及复数个设于该第一基材与该第二基材之间的电极，其中该第一基材与该第二基材中设有一微气室，该微气室系将每一该些电极分隔成两相对应之对向电极；其中，该两相对应之对向电极之一系电连接于一讯号端，而该两相对应之对向电极之另一系电连接于一接地端。如申请专利范围第1项所述之阵列式微气室过电压保护装置，其中在垂直的方向上，该微气室系由每一该些电极的上方延伸至每一该些电极的下方。如申请专利范围第2项所述之阵列式微气室过电压保护装置，其中在垂直的方向上，该微气室系由该第三基材之下表面向下延伸，并贯穿该第二基材，再延伸至该第一基材之内部。如申请专利范围第2项所述之阵列式微气室过电压保护装置，其中在垂直的方向上，每一该些电极的位置系不与该微气室之顶面为共平面；且在垂直的方向上，每一该些电极的位置系不与该微气室之底面为共平面。如申请专利范围第2项所述之阵列式微气室过电压保护装置，其中在水平的方向上，该第一基材与该第二基材的两端面分别具有对应该微气室之开口，而该阵列式微气室过电压保护装置更进一步设有封装层以密封该开口，以使该微气室形成一密闭空间。如申请专利范围第2项所述之阵列式微气室过电压保护装置，其中在水平的方向上，该第一基材与该第二基材的两端面的其中之一具有对应该微气室之开口，而该阵列式微气室过电压保护装置更进一步设有封装层以密封该开口，以使该微气室形成一密闭空间。如申请专利范围第2项所述之阵列式微气室过电压保护装置，其中在水平的方向上，该微气室并未贯穿该第一基材与该第二基材，以使该微气室形成一密闭空间。如申请专利范围第2项所述之阵列式微气室过电压保护装置，其中该微气室的宽度系介于10至40微米，而该微气室的深度系介于60至200微米。如申请专利范围第2项所述之阵列式微气室过电压保护装置，其中该阵列式微气室过电压保护装置系为一种低电容值的过电压保护装置。一种阵列式微气室过电压保护装置，系包含：一基材；以及复数个形成于该基材中之电极，其中该基材中开设有一微气室，该微气室系将每一该些电极分隔成两相对应之对向电极；其中，该两相对应之对向电极之一系电连接于一讯号端，而该两相对应之对向电极之另一系电连接于一接地端。 |
