| 主权项 |
一种晶片构装及散热板之结合方法，其包含步骤：制备一晶片构装，其包含一基板、一环墙及一晶片，该晶片系置于该环墙之一中间位置，且该环墙具有一上端面，该上端面系低于该晶片之一顶面一第一高度差；设置一接合材于该环墙之上端面，且该接合材具有一顶端，该顶端系高于该晶片之顶面形成一第二高度差；覆盖一散热板于该接合材之顶端，且该散热板相对于该接合材处设有至少一凹槽；及加热熔融该接合材，以便该散热板受重力吸引而均匀下沉进而贴接于该晶片，且该基板及散热板之间的气体可在该散热板下沉时经由该凹槽排出，直到该散热板贴接于晶片时，该熔融为液态之接合材因表面张力作用而充填该凹槽。依申请专利范围第1项所述之晶片构装及散热板之结合方法，其中该晶片之顶面系可选择设置一导热胶合层。依申请专利范围第2项所述之晶片构装及散热板之结合方法，其中该导热胶合层之厚度系小于该第二高度差。依申请专利范围第1项所述之晶片构装及散热板之结合方法，其中该基板系选自一软性及硬性电路基板之一，该基板另具有一下表面。依申请专利范围第4项所述之晶片构装及散热板之结合方法，其中该基板之上表面及下表面系可供分别布设数个第一焊垫及数个第二焊垫，且该第一焊垫系对应电性连接该第二焊垫。依申请专利范围第5项所述之晶片构装及散热板之结合方法，其中另包含步骤：于加热熔融该接合材之后，在该基板之下表面之各个第二焊垫之位置上个别形成一锡球。依申请专利范围第5项所述之晶片构装及散热板之结合方法，其中该晶片及该基板之固定处具有数个电性接点，该电性接点系电性连接至该基板之第一焊垫。依申请专利范围第1项所述之晶片构装及散热板之结合方法，其中该接合材系选自一热塑性胶合层及一焊料层之一。 |
