Verfahren und Vorrichtung zur Charakterisierung einer dünnen Siliziumschicht auf einem lichtdurchlässigen Substrat

摘要

Bisher erfolgt die optische Charakterisierung einer dünnen Siliziumschicht durch Bestimmung der kristallinen Fraktion mittels Raman-Rückstreuungsspektrometrie. Dieses Vorgehen ist nicht zur Messung während eines fortlaufenden Prozesses geeignet, da die Ramanspektroskopie sehr empfindlich gegenüber Änderungen der geometrischen Ausrichtung ist und aufgrund der geringen zu detektierenden Streulichtintensitäten langsam ist. Entsprechendes gilt für Messungen mittels Röntgenbeugung. Die Erfindung soll die optische Charakterisierung in kurzer Zeit und mit geringer Empfindlichkeit gegenüber relativen Lage- oder Ausrichtungsveränderungen ermöglichen. Zur schnellen und unempfindlichen Charakterisierung einer dünnen Siliziumschicht wird von durch die Siliziumschicht transmittiertem und/oder von an der Siliziumschicht reflektiertem Licht mittels mindestens eines optischen Detektors aufgenommen, ein Absorptionsgrad der Siliziumschicht für mindestens eine Wellenlänge anhand des aufgenommenen Lichts vorzugsweise für sichtbares Licht ermittelt und ein Mengenverhältnis zwischen einem amorphen Anteil und einem kristallinen Anteil der Siliziumschicht oder zwischen einem dieser Anteile und der Summe dieser Anteile anhand des Absorptionsgrades (und einer Dicke der Siliziumschicht) ermittelt. Dünnschicht-Solarzellen