| 摘要 |
<p>Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung optoelektronischer Bauelemente mit folgenden Schritten: A) Bereitstellen eines Aufwachssubstrats mit einer darauf angeordneten Halbleiterschicht zur Erzeugung einer im Betrieb aktiven Zone, B) Aufbringen von Trennstrukturen auf der Halbleiterschicht, C) Aufbringen einer Vielzahl von Kupferschichten auf der Halbleiterschicht in den durch die Trennstrukturen begrenzten Bereichen, D) Entfernen der Trennstrukturen, E) Aufbringen einer Schutzschicht zumindest auf den lateralen Flächen der Kupferschichten, F) Aufbringen eines Hilfssubstrats auf der Kupferschicht, G) Entfernen des Aufwachssubstrats, H) Vereinzeln des Verbunds aus der Halbleiterschicht, der Kupferschichten und dem Hilfssubstrat zu voneinander getrennten Bauelementen sowie ein mit diesem Verfahren hergestelltes Bauelement und eine Bauelementanordnung.</p> |
