发明名称 |
半导体元件及其制造方法和液晶显示器及其制造方法 |
摘要 |
在常规TFT制成反向交错式的情况下,形成岛形半导体区域时需要通过曝光、显影和液滴释放来形成光刻胶掩模。这导致了处理次数和材料数量的增加。根据本发明,由于在形成源极区和漏极区之后,用作沟道区的部分被用作沟道保护膜的绝缘膜所覆盖形成岛形半导体膜,可以简化工艺,并且这样可以只利用金属掩模而不用光刻胶掩模来制造半导体元件。 |
申请公布号 |
CN101853809A |
申请公布日期 |
2010.10.06 |
申请号 |
CN201010167923.8 |
申请日期 |
2004.11.05 |
申请人 |
株式会社半导体能源研究所 |
发明人 |
神野洋平;藤井岩 |
分类号 |
H01L21/77(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;H01L27/12(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/77(2006.01)I |
代理机构 |
中国专利代理(香港)有限公司 72001 |
代理人 |
李进;刘健 |
主权项 |
一种电致发光显示器,所述电致发光显示器包括:形成于衬底整个表面上的包含氧化钛的层;形成于所述包含氧化钛的层上的门电极层;与门电极层顶表面和包含氧化钛的层的顶表面接触形成的门极绝缘膜;形成于所述门极绝缘膜上的半导体膜;形成于所述半导体膜上的一对n型杂质区;插在该对n型杂质区之间并形成于所述半导体膜一部分上的绝缘膜;形成于该对n型杂质区上的导电层;和与所述导电层电连接的像素电极;其中所述绝缘膜与所述导电层接触;其中所述绝缘膜被形成为具有叠层结构;且其中所述门电极层由透明导电膜形成。 |
地址 |
日本神奈川县厚木市 |