发明名称 无机发光层、其制备方法和含有其的无机发光器件
摘要 本发明公开了一种无机发光层以及制备所述发光层的方法,所述发光层包含:许多发光核,各核具有响应空穴和电子复合而发光的半导体材料,各所述发光核限定第一带隙;许多半导体壳,所述半导体壳分别形成于所述发光核周围以形成核/壳量子点,各所述半导体壳具有比所述第一带隙宽的第二带隙;和半导体基质,所述半导体基质与所述半导体亮相连以提供经由所述半导体基质并至各所述半导体壳及其相应发光核的导电路径以便允许空穴和电子复合。
申请公布号 CN101263613B 申请公布日期 2010.10.06
申请号 CN200680033449.1 申请日期 2006.08.30
申请人 伊斯曼柯达公司 发明人 K·B·卡亨
分类号 H01L33/00(2006.01)I 主分类号 H01L33/00(2006.01)I
代理机构 中国专利代理(香港)有限公司 72001 代理人 刘冬;韦欣华
主权项 一种无机发光层,所述发光层包含:(a)许多发光核,各核具有响应空穴和电子复合而发光的半导体材料,各所述发光核限定第一带隙;(b)半导体壳,所述半导体壳分别形成于所述发光核周围以形成核/壳量子点,各所述半导体壳具有比所述第一带隙宽的第二带隙;和(c)半导体基质,所述半导体基质包含分散的由IV型、III-V型或II-VI型半导体材料形成的无机纳米微粒,所述半导体基质与所述半导体壳相连以提供经由所述半导体基质并至各所述半导体壳及其相应发光核的导电路径以便允许空穴和电子复合,并且所述无机纳米微粒具有不同于核/壳量子点的组成。
地址 美国纽约州