用于对表面进行离子束加工的方法和装置

摘要

本发明涉及用于表面离子束加工的方法和装置，其中该基片被定位在离子束对面，并且形成新的工艺上定义的性质图案。按照本发明，该离子束在该基片(8)表面(15)上的、当前的几何结构的作用图案根据已知的性质图案和新的工艺上被定义的性质图案以及根据处理过程通过射束特性的改变和/或通过射束的脉动被调节。该装置包括基片载体用于夹持至少一个基片(8)，该基片可在Y轴(4)和X轴(6)上运动，并且离子束源(1)被这样固定在该真空室的壁中，使得离子束源(1)的离子束的轴线可垂直于基片(8)的待加工的表面(15)地位于Z轴(11)上或者可被设置在向Z轴倾斜的轴线上。离子束源(1)到基片(8)的待加工的表面(15)的距离可被固定或可改变。

主权项

一种用于基片表面的离子束加工方法，其中，所述基片相对于由离子束源所产生的离子束被定位，并且通过所述离子束这样部分地加工所述基片的表面的已知性质图案，以便形成新的由工艺定义的性质图案，其特征在于，通过改变离子加速、离子能量分布、离子流密度、离子密度分布，和/或通过离子束的脉动，以根据所述已知性质图案以及根据处理过程对新的由工艺定义的性质图案加以调节的方式来改变离子束的射束特性，从而在所述基片(8)的表面(15)上生成几何作用图案，其中在处理流程之前和/或期间，借助于离子探针阵列(9)测量离子束在基片(8)的表面(15)上的当前几何作用图案，其中所述离子探针阵列被设置在基片(8)的待加工表面(15)的平面中。