| 发明名称 | 减小浅沟道隔离边缘凹坑的方法 | ||
| 摘要 | 本发明提出一种实现浅沟道隔离的方法，包括下列步骤：在基底层上由下至上形成栅氧化层和氮化硅层；刻蚀所述栅氧化层和氮化硅层，以形成开口；以所述栅氧化层和氮化硅层为掩模刻蚀所述半导体基底，形成浅沟道；在所述浅沟道内沉积介电层；以及除去所述氮化硅层。本发明的栅氧化层开始时就已经形成，所以整个硅片上可以设置需要的栅氧化层的厚度，可以大大提高器件的栅氧化层完整性(GOI performance)，可靠性也会得到提高。 | ||
| 申请公布号 | CN101853803A | 申请公布日期 | 2010.10.06 |
| 申请号 | CN201010102345.X | 申请日期 | 2010.01.28 |
| 申请人 | 上海宏力半导体制造有限公司 | 发明人 | 陈爱军;令海阳;刘龙平 |
| 分类号 | H01L21/762(2006.01)I;H01L21/311(2006.01)I;H01L21/306(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/762(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人 | 郑玮 |
| 主权项 | 一种减小浅沟道隔离边缘凹坑的方法，其特征在于，包括下列步骤：在基底层上由下至上形成栅氧化层和氮化硅层；刻蚀所述栅氧化层和氮化硅层，以形成开口；以所述栅氧化层和氮化硅层为掩模刻蚀所述半导体基底，形成浅沟道；在所述浅沟道内沉积介电层；以及除去所述氮化硅层。 | ||
| 地址 | 201203 上海市张江高科技圆区郭守敬路818号 | ||