发明名称 | 半导体激光器元件 | ||
摘要 | 本发明的目的在于提供在高输出的半导体激光器元件中,也能够将共振器端面处的放热限于最小限度,能够提高COD电平,并且能够得到良好的FFP形状,且可靠性高、长寿命的半导体激光器元件。该半导体激光器元件具有:层叠体,其由第一导电型半导体层、活性层及第二导电型半导体层构成;由绝缘体构成的第二埋入层,其具有与所述第二导电型半导体层接触且与共振器方向平行的带状的槽部,在所述槽部的共振器端面侧埋入有由电介质构成的第一埋入层,在所述槽部的内侧埋入有导电层。 | ||
申请公布号 | CN101855798A | 申请公布日期 | 2010.10.06 |
申请号 | CN200880115311.5 | 申请日期 | 2008.10.31 |
申请人 | 日亚化学工业株式会社 | 发明人 | 园部真也;枡井真吾 |
分类号 | H01S5/22(2006.01)I | 主分类号 | H01S5/22(2006.01)I |
代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人 | 李贵亮 |
主权项 | 一种半导体激光器元件,其特征在于,具有:层叠体,其由第一导电型半导体层、活性层及第二导电型半导体层构成;由绝缘体构成的第二埋入层,其具有与所述第二导电型半导体层接触且与共振器方向平行的带状的槽部,在所述槽部的共振器端面侧埋入有由电介质构成的第一埋入层,在所述槽部的内侧埋入有导电层。 | ||
地址 | 日本德岛县 |