| 发明名称 | ⅢA族氮化物半导体复合基板、ⅢA族氮化物半导体基板和ⅢA族氮化物半导体复合基板的制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种能够抑制贴合界面的空隙等发生的IIIA族氮化物半导体复合基板、IIIA族氮化物半导体基板和IIIA族氮化物半导体复合基板的制造方法。本发明涉及的IIIA族氮化物半导体复合基板包括由具有导电性且熔点为1100℃以上的导电性材料形成的基材(10)、设置在基材(10)上的IIIA族氮化物层(20)和设置在IIIA族氮化物层(20)上的IIIA族氮化物单晶膜(30)，IIIA族氮化物层(20)在IIIA族氮化物层(20)的与IIIA族氮化物单晶膜(30)相接的面上，具有由凹凸形成的波纹，该波纹的0.1(/μm)以上但小于1(/μm)的空间波长区域内的一元功率谱密度为小于500nm3。 | ||
| 申请公布号 | CN101853816A | 申请公布日期 | 2010.10.06 |
| 申请号 | CN200910179450.0 | 申请日期 | 2009.10.13 |
| 申请人 | 日立电线株式会社 | 发明人 | 吉田丈洋 |
| 分类号 | H01L23/00(2006.01)I;H01L21/02(2006.01)I;C30B29/38(2006.01)I;B32B9/04(2006.01)I | 主分类号 | H01L23/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人 | 钟晶 |
| 主权项 | 一种IIIA族氮化物半导体复合基板，其特征在于，包括：由熔点为1100℃以上的导电性材料形成的基材，设置在所述基材上的IIIA族氮化物层，设置在所述IIIA族氮化物层上的IIIA族氮化物单晶膜；所述IIIA族氮化物层在所述IIIA族氮化物层的与所述IIIA族氮化物单晶膜相接的面上，具有由周期性的凹凸形成的波纹，该波纹的0.1(/μm)以上但小于1(/μm)的空间波长区域内的一元功率谱密度为小于500nm3。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||