发明名称 |
一种高比表面积纳米二氧化硅的制备方法 |
摘要 |
一种高比表面积纳米SiO2的制备方法,采用工业硅酸钠为原料,配制成浓度为0.1~0.8mol/L的硅酸钠溶液,加入3%~20%的十六烷基三甲基溴化氨,缓慢滴加浓度为0.5~1.5mol/L酸化剂溶液,直至pH值为4~10,匀速搅拌,10~80℃下反应10~60min,生成前驱体沉淀;抽滤,去离子水洗涤,干燥,将所得产物300~1000℃条件下焙烧0.5~5h,得到纳米SiO2成品。本发明所制得的SiO2颗粒比表面积达700~1200m2/g,且工艺简单易行、成本低廉。 |
申请公布号 |
CN101172608B |
申请公布日期 |
2010.10.06 |
申请号 |
CN200610032493.2 |
申请日期 |
2006.10.31 |
申请人 |
中南大学 |
发明人 |
宋晓岚;江楠;邱冠周;李宇焜;杨华明;金胜明;徐大余 |
分类号 |
C01B33/113(2006.01)I;C01B33/142(2006.01)I |
主分类号 |
C01B33/113(2006.01)I |
代理机构 |
中南大学专利中心 43200 |
代理人 |
胡燕瑜 |
主权项 |
一种高比表面积纳米二氧化硅的制备方法,依次由以下步骤组成:(1)在浓度为0.1~0.8mol/L的硅酸钠溶液中,加入相对于硅酸钠质量3%~20%的十六烷三甲基溴化铵,超声分散,缓慢滴入浓度为0.5~1.5mol/L的酸化剂溶液,所述酸化剂选自工业盐酸、硫酸或硝酸之一,直到混合液pH值达到4~10,匀速搅拌,10~80℃下反应10~60min,生成前驱体沉淀;(2)真空过滤前驱体沉淀,用去离子水洗涤,干燥;(3)将所得产物在600~700℃条件下焙烧1h,得到纳米SiO2。 |
地址 |
410083 湖南省长沙市麓山南路1号 |