| 主权项 |
一种具有高光摘出效率之发光元件包含：一发光叠层；形成于该发光叠层上之一第一氧化物透明导电层，具有一第一主要表面与一第二主要表面，该第一主要表面朝向该发光叠层，该第二主要表面上形成一第一多孔穴结构；以及形成于该第一多孔穴结构上之一第一金属反射层。如申请专利范围第1项所述之一种具有高光摘出效率之发光元件，其中该发光叠层具有一第三主要表面，该第三主要表面邻接该第一氧化物透明导电层之该第一主要表面，且该第三主要表面上形成一第二多孔穴结构。如申请专利范围第2项所述之一种具有高光摘出效率之发光元件，其中，该第一多孔穴结构向下延伸至该第二多孔穴结构。如申请专利范围第1项所述之一种具有高光摘出效率之发光元件，其中，该发光叠层包含：一第一半导体层；形成于该第一半导体叠层上之一半导体发光层；以及形成于该发光层上之一第二半导体层。如申请专利范围第1项所述之一种具有高光摘出效率之发光元件，更包含一基板位于该发光叠层下方。如申请专利范围第1项所述之一种具有高光摘出效率之发光元件，其中，该第一氧化物透明导电层系包含选自于氧化铟锡、氧化镉锡、氧化锑锡、氧化铟锌、氧化锌铝及氧化锌锡所构成材料组群中之至少一种材料或其它替代性材料。如申请专利范围第1项所述之一种具有高光摘出效率之发光元件，其中该第一氧化物透明导电层之厚度系介于50nm至1um。如申请专利范围第5项所述之一种具有高光摘出效率之发光元件，其中，该基板系包含选自于蓝宝石、GaN、AlN、SiC、GaAs、GaP、Si、ZnO、MgO、MgAl2O4及玻璃所构成材料组群中之至少一种材料或其它替代性材料。如申请专利范围第1项所述之一种具有高光摘出效率之发光元件，其中，该发光叠层系包含选自于AlGaInP、AlInP、InGaP、AlN、GaN、AlGaN、InGaN及AlInGaN族材料所构成材料组群中之至少一种材料或其它替代性材料。如申请专利范围第1项所述之一种具有高光摘出效率之发光元件，其中，该第一氧化物透明导电层表面处之第一多孔穴结构系以蚀刻之方式形成。如申请专利范围第2项所述之一种具有高光摘出效率之发光元件，其中，该发光叠层之第三主要表面上之第二多孔穴结构系以磊晶成长之方式形成。如申请专利范围第2项所述之一种具有高光摘出效率之发光元件，其中，该发光叠层之第三主要表面上之第二多孔穴结构系以蚀刻方式形成。如申请专利范围第2项所述之一种具有高光摘出效率之发光元件，其中，该发光叠层之第三主要表面上之第二多孔穴结构系以磊晶成长方式再配合蚀刻方式所形成。如申请专利范围第1项所述之一种具有高光摘出效率之发光元件，其中，于该第一金属反射层之上更包含一第一电极。如申请专利范围第4项所述之一种具有高光摘出效率之发光元件，其中，该第一半导体层包含一上表面，于该上表面上更包含一第二氧化物透明导电层，该第二氧化物透明导电层具有一第四主要表面与一第五主要表面，该第四主要表面朝向该第一半导体层，该第五主要表面上形成一第三多孔穴结构。如申请专利范围第15项所述之一种具有高光摘出效率之发光元件，其中，其中该第一半导体层具有一第六主要表面，该第六主要表面邻接该第二氧化物透明导电层之该第四主要表面，且该第六主要表面上形成一向下延伸之第四多孔穴结构。如申请专利范围第15项所述之一种具有高光摘出效率之发光元件，其中，于该第二氧化物透明导电层上更包含一第二金属反射层。如申请专利范围第17项所述之一种具有高光摘出效率之发光元件，其中，于该第二金属反射层上更包含一第二电极。如申请专利范围第15项所述之一种具有高光摘出效率之发光元件，其中，该第二氧化物透明导电层表面处之第三多孔穴结构系以蚀刻之方式形成。如申请专利范围第16项所述之一种具有高光摘出效率之发光元件，其中，该第四多孔穴结构系以蚀刻方式形成。如申请专利范围第15项所述之一种具有高光摘出效率之发光元件，其中，该第二氧化物透明导电层系包含选自于氧化铟锡、氧化镉锡、氧化锑锡、氧化铟锌、氧化锌铝及氧化锌锡所构成材料组群中之至少一种材料或其它替代性材料。如申请专利范围第1项所述之一种具有高光摘出效率之发光元件，其中，该第一金属反射层系包含选铝及银所构成材料组群中之至少一种材料或其它替代性材料。如申请专利范围第17项所述之一种具有高光摘出效率之发光元件，其中，该第二金属反射层系包含选铝及银所构成材料组群中之至少一种材料或其它替代性材料。如申请专利范围第5项所述之一种具有高光摘出效率之发光元件，其中，于该发光叠层及该基板之间更包含一黏结层。如申请专利范围第24项所述之一种具有高光摘出效率之发光元件，其中，于该黏结层为介电黏结层或金属黏结层。如申请专利范围第25项所述之一种具有高光摘出效率之发光元件，其中，该介电黏结层系包含选自聚醯亚胺(PI)、苯并环丁烯(BCB)、及过氟环丁烷(PFCB)所构成材料组群中之至少一种材料或其它替代性材料。如申请专利范围第25项所述之一种具有高光摘出效率之发光元件，其中，该金属黏结层系包含选自铟(In)、锡(Sn)、及金锡(AuSn)合金所构成材料组群中之至少一种材料或其它替代性材料。如申请专利范围第24项所述之一种具有高光摘出效率之发光元件，其中，于该发光叠层及该黏结层之间更包含一第三氧化物透明导电层。如申请专利范围第28项所述之一种具有高光摘出效率之发光元件，其中，该第三氧化物透明导电层系包含选自于氧化铟锡、氧化镉锡、氧化锑锡、氧化铟锌、氧化锌铝及氧化锌锡所构成材料组群中之至少一种材料或其它替代性材料。如申请专利范围第1项所述之一种具有高光摘出效率之发光元件，其中，该第一多孔穴之形状为锥形，包含圆锥形及多角锥形。如申请专利范围第2项所述之一种具有高光摘出效率之发光元件，其中，该第二多孔穴结构形状为锥形，包含圆锥形及多角锥形。如申请专利范围第15项所述之一种具有高光摘出效率之发光元件，其中，该第三多孔穴之形状为锥形，包含圆锥形及多角锥形。如申请专利范围第16项所述之一种具有高光摘出效率之发光元件，其中，该第四多孔穴结构形状为锥形，包含圆锥形及多角锥形。如申请专利范围第1项所述之一种具有高光摘出效率之发光元件，其中，该第一金属反射层之面积实质上等于该第一电极之面积。如申请专利范围第18项所述之一种具有高光摘出效率之发光元件，其中，该第二金属反射层之面积实质上等于该第二电极之面积。 |
