发明名称 MÉTODO DE FABRICO E CRIAÇÃO DE TRANSÍSTORES DE FILME FINO ELECTROCRÓMICOS DE ESTRUTURA LATERAL OU VERTICAL UTILIZANDO SUBSTRATOS VITROCERÂMICOS, POLIMÉRICOS, METÁLICOS OU DE PAPEL CELULÓSICO NATURAL, SINTÉTICO OU MISTO FUNCIONALIZADOS OU NÃO FUNCIONA
摘要 <p>A PRESENTE INVENCÃO CONSISTE NA CRIACÃO E FABRICO DE TRANSÍSTORES DE FILME FINO ELECTROCRÓMICOS, AUTO SUSTENTÁVEIS OU NÃO, DE ESTRUTURA LATERAL OU VERTICAL, DEPOSITADOS EM QUALQUER TIPO DE SUBSTRATO (1) FUNCIONALIZADO DESIGNADO POR ELECTROLITOCRÓMICO OU NÃO E EM QUE O MATERIAL ELECTRÓLITO (3) E A PRESENÇA OU NÃO DE UMA MEMBRANA ULTRA FINA (7) ACTUAM COMO DIELÉCTRICO, O MATERIAL ELECTROCRÓMICO (2) COMO SEMICONDUTOR ACTIVO DA REGIÃO DE CANAL E EM QUE OS ELÉCTRODOS PORTA (4), DE FONTE (5) E DRENO (5) SE BASEIAM EM MATERIAIS METÁLICOS COMO O TITÂNIO, O OURO, O ALUMÍNIO OU ÓXIDOS SEMICONDUTORES DEGENERADOS COMO O ÓXIDO DE ÍNDIO E ZINCO, O ÓXIDO DE ZINCO DOPADO COM GÁLIO, CARACTERIZADO POR O PROCESSO DE CONTROLO DO FUNCIONAMENTO DO DISPOSITIVO SE FAZER POR CORRENTE ELECTRÓNICA E IÓNICA E A COMUTACÃO DO ESTADO DESLIGADO PARA LIGADO OU VICE-VERSA SER ACOMPANHADO POR UMA MUDANCA DE COR DO DISPOSITIVO.</p>
申请公布号 PT104482(A) 申请公布日期 2010.10.01
申请号 PT20090104482 申请日期 2009.04.01
申请人 UNIVERSIDADE NOVA DE LISBOA 发明人 RODRIGO FERRAO DE PAIVA MARTINS;ELVIRA MARIA CORREIA FORTUNATO
分类号 H01L21/328 主分类号 H01L21/328
代理机构 代理人
主权项
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