发明名称 半导体器件和使用了它的显示装置以及电子装置
摘要 本发明的课题是,提供一种具有正常工作部件的半导体器件,该半导体器件即使是使用了单极型晶体管的数字电路,也能防止输出信号的振幅变小。通过使被连接成二极管的晶体管(101)截止,使第1晶体管(102)的栅极端子处于浮置状态。此时,第1晶体管(102)为导通状态,其栅极·源极间的电压保存在电容元件上。其后,当第1晶体管(102)的源极端子的电位上升时,由于自举效应,第1晶体管(102)的栅极端子的电位也上升。其结果是,可防止输出信号的振幅变小。
申请公布号 CN101149893B 申请公布日期 2010.09.29
申请号 CN200710185154.2 申请日期 2003.12.25
申请人 株式会社半导体能源研究所 发明人 木村肇;盐野入丰
分类号 G09G3/00(2006.01)I;G09G3/20(2006.01)I;G09G3/36(2006.01)I;G09F9/30(2006.01)I;H03F3/16(2006.01)I;H01L21/8238(2006.01)I 主分类号 G09G3/00(2006.01)I
代理机构 中国专利代理(香港)有限公司 72001 代理人 浦柏明;王忠忠
主权项 一种半导体器件,其特征在于:具有第1晶体管、第2晶体管、第3晶体管、以及第4晶体管,上述第1晶体管的源极电极和漏极电极中的任一个与上述第2晶体管的源极电极和漏极电极中的任一个电连接,上述第3晶体管的源极电极和漏极电极中的任一个与上述第1晶体管的栅极电极电连接,上述第3晶体管的栅极电极与上述第2晶体管的栅极电极电连接,上述第4晶体管的源极电极和漏极电极中的任一个与上述第1晶体管的栅极电极电连接,上述第4晶体管的另一个电极与上述第4晶体管的栅极电极电连接,及所述第1晶体管、所述第2晶体管、所述第3晶体管和所述第4晶体管具有非晶半导体层。
地址 日本神奈川县厚木市
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