| 发明名称 | 半导体集成电路器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 提供了一种半导体集成电路器件及其制造方法。所述半导体集成电路器件包括：包括第一掺杂剂的半导体衬底；形成于所述半导体衬底上的第一导电层图案；形成于所述第一导电层图案上的层间介质层；形成于所述层间介质层上的第二导电层图案；以及阻挡照射到半导体衬底的真空紫外线的第一真空紫外线(VUV)阻挡层。 | ||
| 申请公布号 | CN1877834B | 申请公布日期 | 2010.09.29 |
| 申请号 | CN200610091601.3 | 申请日期 | 2006.06.06 |
| 申请人 | 三星电子株式会社 | 发明人 | 张东烈;李泰政;金成焕;李受哲 |
| 分类号 | H01L27/00(2006.01)I;H01L23/522(2006.01)I;H01L23/552(2006.01)I;H01L21/822(2006.01)I;H01L21/768(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人 | 陶凤波;侯宇 |
| 主权项 | 一种半导体集成电路器件，包括：包括第一掺杂剂的半导体衬底；形成于所述半导体衬底上的第一导电层图案，所述第一导电层图案为高压驱动晶体管的栅电极，所述高压驱动晶体管的驱动电压为15-30V；形成于所述第一导电层图案上的层间介质层；形成于所述层间介质层上的第二导电层图案；以及形成于所述第二导电层图案和所述层间介质层上的第一真空紫外线阻挡层以阻挡照射到所述半导体衬底的真空紫外线。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||