薄膜晶体管基板及其制造方法和具有其的显示设备

摘要

本发明涉及薄膜晶体管基板及其制造方法和具有其的显示设备。在薄膜晶体管(TFT)基板中，栅极绝缘层布置于电连接到栅极线的栅电极上。半导体层设置于栅极绝缘层上。源电极电连接到与栅极线相交的数据线。漏电极面对源电极并界定半导体层的沟道区域。有机层设置于数据线上并具有暴露沟道区域的第一开口。无机绝缘层设置于有机层上。像素电极设置于无机绝缘层上且电连接到漏电极。无机绝缘层覆盖第一开口，且无机绝缘层的厚度基本均匀。

主权项

一种薄膜晶体管TFT基板，包括：基板；形成于所述基板上且电连接到栅极线的栅电极；形成于所述基板上从而覆盖所述栅极线和所述栅电极的栅极绝缘层；对应于所述栅电极形成于所述栅极绝缘层上的半导体层；形成于所述半导体层上且电连接到数据线的源电极，所述数据线沿与所述栅极线的纵向交叉的方向形成于所述栅极绝缘层上；漏电极，形成于所述半导体层上且与所述源电极相对从而在所述源电极和漏电极之间界定所述半导体层的沟道区域；形成于所述栅极绝缘层上从而覆盖所述源电极、所述漏电极和所述数据线的有机层，所述有机层具有暴露所述沟道区域的第一开口；形成于所述有机层和所述第一开口的内表面上的无机绝缘层，所述无机绝缘层具有基本均匀的厚度；以及设置于所述无机绝缘层上且电连接到所述漏电极的像素电极，其中所述像素电极形成于所述第一开口之外。