多孔质下层膜和用于形成多孔质下层膜的形成下层膜的组合物

摘要

本发明提供一种在半导体器件制造中的光刻工艺中使用的下层膜，其不会与光致抗蚀剂层发生混合、比光致抗蚀剂具有更大的干蚀刻速度。具体来说，是提供一种形成下层膜的组合物，其含有发泡剂、有机材料和溶剂、或含有具有发泡性基团的聚合物和溶剂，其用于形成在半导体器件制造中使用的多孔质下层膜。由该组合物形成的下层膜，形成了在其内部具有空孔的多孔质结构，可以实现很大的干蚀刻速度。

主权项

一种用于形成在半导体器件的制造中使用的多孔质下层膜的形成下层膜的组合物，含有发泡剂、聚合物和溶剂，所述形成下层膜的组合物的固体成分中的发泡剂比例为0.1～30质量％，所述发泡剂选自偶氮羧酸化合物、重氮乙酰胺化合物、偶氮腈化合物、苯磺酰肼化合物和亚硝基化合物，所述聚合物选自聚酯、聚苯乙烯、聚酰亚胺、丙烯酸聚合物、甲基丙烯酸聚合物、聚乙烯醚、苯酚线型酚醛清漆树脂、萘酚线性酚醛树脂、聚醚、聚酰胺和聚碳酸酯，进一步含有交联性化合物，所述交联性化合物为具有至少两个交联形成取代基的化合物。