| 发明名称 | 使用虚拟栅极的外围电路区域中的半导体器件 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种外围电路区域中的半导体器件，其包括：具有多个置为相互远离的有源区的半导体衬底；栅极图案，包括至少一个置于有源区上的栅极、置于该有源区之间的虚拟栅极、以及第一和第二焊垫，该第一和第二焊垫分别连接到该栅极和虚拟栅极的两侧；以及第一引线，形成为接触该第一和第二焊垫的至少一个。 | ||
| 申请公布号 | CN101315931B | 申请公布日期 | 2010.09.29 |
| 申请号 | CN200710165219.7 | 申请日期 | 2007.10.31 |
| 申请人 | 海力士半导体有限公司 | 发明人 | 洪熙范;洪性泽 |
| 分类号 | H01L27/04(2006.01)I;H01L23/485(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/04(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人 | 彭久云 |
| 主权项 | 一种外围电路区域中的半导体器件，包括：具有多个置为相互远离的有源区的半导体衬底；栅极图案，包括置于该有源区之间的虚拟栅极、至少一个置于该有源区上的栅极、以及分别连接该栅极和该虚拟栅极的第一侧部以及该栅极和该虚拟栅极的第二侧部的第一和第二焊垫；以及第一引线，形成为接触该第一或第二焊垫。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||