| 发明名称 | 一种磁场作用下微弧氧化膜层的制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开的一种磁场作用下微弧氧化膜层的制备方法，具体按照以下步骤实施：对工件表面进行去污除油；在磁场作用下对得到的去污除油后的工件进行微弧氧化处理，得到微弧氧化膜层。本发明磁场作用下微弧氧化膜层的制备方法，减小了氧化液溶差极化倾向，加速溶质传递过程，促进微弧氧化反应的进行，提高膜层生长速率，可以改善微弧氧化膜层的外观、提高膜层生长速率，进而提高膜层性能。 | ||
| 申请公布号 | CN101845653A | 申请公布日期 | 2010.09.29 |
| 申请号 | CN201010146480.4 | 申请日期 | 2010.04.14 |
| 申请人 | 中国船舶重工集团公司第十二研究所 | 发明人 | 穆耀钊;王育召;张镜斌;杨艳;孙长涛 |
| 分类号 | C25D11/02(2006.01)I | 主分类号 | C25D11/02(2006.01)I |
| 代理机构 | 西安弘理专利事务所 61214 | 代理人 | 罗笛 |
| 主权项 | 一种磁场作用下微弧氧化膜层的制备方法，其特征在于，具体按照以下步骤实施：步骤1：对工件（3）表面进行去污除油；步骤2：在磁场作用下对步骤1得到的去污除油后的工件（3）进行微弧氧化处理，得到微弧氧化膜层。 | ||
| 地址 | 713102 陕西省咸阳市兴平市44号信箱 | ||