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发明名称 Method for growth of GaN single crystals
摘要
申请公布号 EP1876270(B1) 申请公布日期 2010.09.29
申请号 EP20060730906 申请日期 2006.03.31
申请人 TOHOKU TECHNO ARCH CO., LTD.;FURUKAWA CO., LTD.;MITSUBISHI CHEMICAL CORPORATION;DOWA HOLDINGS CO., LTD;EPIVALLEY CO., LTD.;WAVESQUARE INC. 发明人 YAO, TAKAFUMI;CHO, MEOUNG-WHAN
分类号 C23C16/34;H01L21/205;H01L33/12;H01L33/32;H01L33/00;C30B29/38 主分类号 C23C16/34
代理机构 代理人
主权项
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