发明名称 |
使用高频电感耦合等离子体对晶片进行表面处理的设备 |
摘要 |
在此公开了一种使用高频电感耦合等离子体对晶片进行表面处理的设备,其包括:工艺室,该工艺室包括等离子体产生单元——反应气体被引入其中并且该等离子体产生单元产生等离子体,以及晶片处理单元——在其中执行从等离子体处理、薄膜形成和蚀刻中选择的任意一个或多个;以及压力控制单元,以控制该工艺室中的压力以及泵送速率,该压力控制单元包括真空板,以及与该真空板有组织地连接的泵送口、二级阀、涡轮泵和APC阀。 |
申请公布号 |
CN101849283A |
申请公布日期 |
2010.09.29 |
申请号 |
CN200780101408.6 |
申请日期 |
2007.11.01 |
申请人 |
株式会社EUGENE科技 |
发明人 |
严枰镕 |
分类号 |
H01L21/3065(2006.01)I;H05H1/30(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/3065(2006.01)I |
代理机构 |
北京北翔知识产权代理有限公司 11285 |
代理人 |
郑建晖;杨勇 |
主权项 |
一种使用高频电感耦合等离子体对晶片进行表面处理的设备,包括:工艺室,其包括等离子体产生单元——反应气体被引入其中并且该等离子体产生单元产生等离子体,以及晶片处理单元——在其中执行从等离子体处理、薄膜形成和蚀刻中选择的任意一个或多个;以及压力控制单元,以控制所述工艺室中的压力以及泵送速率,该压力控制单元包括真空板,以及与该真空板有组织地连接的泵送口、二级阀、涡轮泵和APC阀。 |
地址 |
韩国京畿道 |