| 发明名称 | 用于制备用作太阳能电池光吸收层的方法 | ||
| 摘要 | 在此公开了一种用于制备用作太阳能电池光吸收层的方法，该方法能够经济并且有效地形成用作太阳能电池光吸收层的I-III-VI2复合薄膜。该方法包括：(a)通过金属有机化学气相沉积(MOCVD)在衬底上沉积含有III族和VI族元素的单前驱体，以形成III-VI族或III2-VI3族复合薄膜，(b)通过MOCVD在所述III-VI或III2-VI3复合薄膜上沉积含有I族元素的前驱体，以形成含有I族、III族和VI族元素的I-III-VI复合薄膜，以及(c)在含有VI族元素的气体气氛中加热所述I-III-VI复合薄膜或者通过MOCVD在所述I-III-VI复合薄膜上沉积含有VI族元素的前驱体，以形成I-III-VI2复合薄膜。 | ||
| 申请公布号 | CN101473449B | 申请公布日期 | 2010.09.29 |
| 申请号 | CN200780022814.3 | 申请日期 | 2007.06.19 |
| 申请人 | 银太阳科技发展公司 | 发明人 | 崔寅焕 |
| 分类号 | H01L31/042(2006.01)I | 主分类号 | H01L31/042(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京润平知识产权代理有限公司 11283 | 代理人 | 周建秋;王凤桐 |
| 主权项 | 一种通过在衬底上形成I-III-VI2复合薄膜而制备用于太阳能电池光吸收层的方法，该方法包括：(a)通过金属有机化学气相沉积MOCVD，在衬底上沉积含有III族和VI族元素的单前驱体，以形成III-VI族或III2-VI3族复合薄膜；(b)通过金属有机化学气相沉积在所述III-VI族或III2-VI3族复合薄膜上沉积含有I族元素的前驱体，以形成含有I族、III族和VI族元素的I-III-VI复合薄膜；以及(c)在含有VI族元素的气体气氛中加热所述I-III-VI复合薄膜或者通过金属有机化学气相沉积在所述I-III-VI复合薄膜上沉积含有VI族元素的前驱体，以形成I-III-VI2复合薄膜。 | ||
| 地址 | 韩国首尔 | ||