一维孔性（Zn,Cd）S/SiO₂管状纳米复合材料及其制备方法

摘要

本发明涉及一种高纯度、高密度、高产率的一维孔性(Zn，Cd)S/SiO2管状纳米复合材料及其制备方法，属于材料制备技术领域。本发明采用热蒸发法在镀有金膜的硅片上生长制备一维孔性(Zn，Cd)S/SiO2管状纳米结构。制备包括以下步骤：(1)将一定Zn∶Cd比的ZnS与CdS混合粉末原料盛于陶瓷舟中，放置于管式炉高温恒温区；(2)混合粉末在一定流量的氮气保护下在管式炉中高温升华、蒸发；(3)混合蒸汽在氮气带动下在气流下方的镀有金膜的硅片上沉积生长，得到所述纳米结构。所述方法合成工艺和设备简单，工艺参数可控性强，成本低廉，所得(Zn，Cd)S/SiO2管状纳米结构产量大、密度高、纯度高。所合成的一维孔性纳米结构在气敏性元器件、储氢材料、非线性光学材料以及太阳能电池等方面有广泛的应用前景。

主权项

一种具有优异气敏特性和发光特性的一维孔性(Zn，Cd)S/SiO2管状纳米复合材料，其特征在于，所述材料的主体为管状孔性非晶二氧化硅，管内壁生长有一层(Zn，Cd)S薄膜。