二分型半导体激光元件及其制造方法、以及其驱动方法

摘要

本发明涉及二分型半导体激光元件及其制造方法、以及其驱动方法。该半导体激光元件可以准确、可靠并容易地形成通过分离槽被分离的第二电极和脊结构。二分型半导体激光元件的制造方法包括以下各工序：(A)在形成第一化合物半导体层(30)、构成发光区域(41)和可饱和吸收区域(42)的化合物半导体层(40)、以及第二化合物半导体层(50)之后，(B)在第二化合物半导体层(50)上形成带状的第二电极(62)，(C)接下来，将第二电极(62)作为蚀刻用掩膜，至少对第二化合物半导体层(50)的一部分进行蚀刻，形成脊结构，(D)然后，以湿蚀刻法在第二电极(62)上形成分离槽(62C)，并且通过分离槽将第二电极分离成第一部分(62A)和第二部分(62B)。

主权项

一种二分型半导体激光元件的制造方法，包括以下各工序：(A)在基体上形成层积结构体，所述层积结构体通过依次层积如下层来构成，即：具有第一导电型并且由GaN系化合物半导体构成的第一化合物半导体层、由GaN系半导体构成的构成发光区域和可饱和吸收区域的化合物半导体层、以及具有与第一导电型不同的第二导电型并且由GaN系化合物半导体构成的第二化合物半导体层，(B)然后，在第二化合物半导体层上形成带状的第二电极，(C)接下来，将第二电极作为蚀刻用掩膜，至少对第二化合物半导体层的一部分进行蚀刻，形成脊结构，(D)然后，形成用于在第二电极上形成分离槽的耐蚀层，接下来，将耐蚀层作为湿蚀刻用掩膜，并以湿蚀刻法在第二电极上形成分离槽，并且通过分离槽将第二电极分离成第一部分和第二部分。