用于制造半导体器件的方法

摘要

公开一种用于制造半导体器件的方法，其包括利用器件分隔膜和第一硬掩模层来形成凹进部，使得可以利用常规掩模而保留用于限定凹式栅极区域的垫氮化物膜。该方法另外限定凹式栅极区域，以在器件分隔膜与半导体基板之间没有阶梯形差的情况下，便于随后用于蚀刻栅极电极的工序。

主权项

一种用于制造半导体器件的方法，所述方法包括：形成包括垫氧化物膜和垫氮化物膜的沉积结构，所述垫氧化物膜和所述垫氮化物膜露出半导体基板的器件分隔区域；利用所述垫氧化物膜和垫氮化物膜作为蚀刻掩模，蚀刻所述半导体基板，以形成限定有源区的沟槽；形成填充所述沟槽的用于分隔所述器件的绝缘膜，并且平坦化所述绝缘膜以形成器件分隔膜；蚀刻所述垫氮化物膜和所述器件分隔膜；形成填充所述露出区域的第一硬掩模层；利用所述第一硬掩模层和所述器件分隔膜作为蚀刻掩模，去除残留的垫氮化物膜和垫氧化物膜，以露出凹式栅极区域的半导体基板；以预定厚度蚀刻所述露出的半导体基板，以形成凹进部；去除所述第一硬掩模层和所述垫氧化物膜，以在露出的半导体基板上形成栅极氧化物膜；在所得到的结构上形成用于填充所述凹进部的栅极导电层；在所述栅极导电层上形成栅极硬掩模层；以及利用用于限定栅极的栅极掩模作为蚀刻掩模，使所述栅极硬掩模层和所述栅极导电层形成图案，以形成栅极。