集成电路结构

摘要

本发明以通孔蚀刻工艺形成具有圆滑角与上宽下窄的侧壁轮廓的穿透基板通孔。形成上述结构的方法包括提供半导体基板；形成硬掩模层与图案化光致抗蚀剂层于半导体基板上；形成开口于硬掩模层中，并露出部分半导体基板；以图案化光致抗蚀剂层及硬掩模层作为掩模单元，形成通孔以穿过至少部分半导体基板；进行修边工艺以圆滑化通孔顶角；以及移除光致抗蚀剂层。

主权项

一种集成电路结构的形成方法，包括：提供一半导体基板；形成一硬掩模层于该半导体基板上；形成一光致抗蚀剂层于该硬掩模层上；图案化该光致抗蚀剂层以形成一第一开口；图案化该硬掩模层以形成一第二开口于该第一开口下，并露出部分该半导体基板；蚀刻露出的部分该半导体基板以形成一通孔，该通孔穿过至少部分该半导体基板；进行一修边工艺以圆滑化该通孔的顶角；以及移除该光致抗蚀剂层。