| 发明名称 |
Integriertes Halbleiterschaltkreisbauelement und dessen Herstellungsverfahren |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
DE69942661(D1) |
申请公布日期 |
2010.09.23 |
| 申请号 |
DE19996042661 |
申请日期 |
1999.12.08 |
| 申请人 |
FUJITSU SEMICONDUCTOR LTD. |
发明人 |
OSAJIMA, TORU |
| 分类号 |
H01L21/82;H01L27/118;H01L27/02;H01L27/10 |
主分类号 |
H01L21/82 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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