剥离晶片的再利用方法

摘要

一种剥离晶片的再利用方法，是对以离子注入剥离法来制造SOI晶片时附带生成的剥离晶片17，至少施行研磨的再处理后，将剥离晶片17作为接合晶片21，再度在SOI晶片制造步骤中进行再利用的方法，其特征在于：至少作为接合晶片而使用的CZ晶片，是设为其整个面由N区域所构成的低缺陷晶片，上述再处理，是以比在SOI晶片制造步骤中形成热氧化膜12时对接合晶片所施加的温度更高的温度，来对剥离晶片17施行快速加热快速冷却热处理。借此，可以提供一种剥离晶片的再利用方法，使用200mm以上的大直径CZ晶片来作为接合晶片，并将借由离子注入剥离法来制作SOI晶片时所附带生成的剥离晶片，即使重复作为接合晶片来进行再利用，也不会导致贴合不良或是SOI层的品质降低。

主权项

一种剥离晶片的再利用方法，是针对先在由切克劳斯基法制作的硅晶片表面上形成热氧化膜，将通过该热氧化膜进行离子注入而形成有离子注入层的上述由切克劳斯基法制作的硅晶片作为接合晶片，隔着上述热氧化膜贴合该接合晶片与基底晶片，然后通过施加热处理，以上述离子注入层为界而分离成绝缘层上覆硅晶片与剥离晶片这样的制造步骤，对于附带生成的上述剥离晶片至少施行研磨的再处理后，将该剥离晶片作为接合晶片，再度在绝缘层上覆硅晶片制造步骤中进行再利用的方法，其特征在于：至少上述所使用的由切克劳斯基法制作的硅晶片，是设为其整个面由中性区域所构成的低缺陷晶片；上述再处理中，是以比在上述绝缘层上覆硅晶片制造步骤中形成上述热氧化膜时对接合晶片所施加的温度更高的温度，来对上述剥离晶片施行快速加热.快速冷却热处理，在上述再生研磨中，以超过2μm的损耗量对上述剥离晶片表面进行研磨。