具有多个单元基底的与非闪速存储器

摘要

一种NAND闪速存储器，具有连接到页面缓冲器的存储器阵列的多个位线，其中在至少两个阱部分中形成连接到同一位线的NAND单元串。至少一个阱部分可在擦除操作期间选择性地耦合到擦除电压，这样防止未选阱部分接收擦除电压。当阱部分的面积减小时，引起每个阱部分中的电容相应降低。相应地，电荷泵电路驱动能力保持不变时，相对于单阱存储体获得更高的NAND闪速存储单元擦除速度。或者，通过将具有特定面积的阱部分和具有降低的驱动能力的电荷泵匹配，实现对应于单阱存储体的恒定擦除速度。降低了驱动能力的电荷泵占据较小半导体芯片面积，从而降低了成本。

主权项

一种NAND闪速存储器，包括：具有第一NAND单元串的第一阱部分，用于在擦除操作期间选择性地接收擦除电压；具有第二NAND单元串的第二阱部分，用于在所述擦除操作期间选择性地接收所述擦除电压；电连接到所述第一NAND单元串和第二NAND单元串的位线；以及电连接到所述位线的页面缓冲器。