一种半导体器件及其形成方法

摘要

本发明公开了一种半导体器件形成方法及该方法的产品。克服了现有技术中源/漏扩展区浅结串联电阻大的问题。该方法通过分别在NMOS、PMOS器件的源/漏极扩展区上面形成功函数调谐层，提高源/漏极扩展区载流子浓度，从而有效降低了源/漏极扩展区浅结的横向电阻，提高了器件的性能。

主权项

一种半导体器件的形成方法，其特征在于，包括如下步骤：a)将半导体衬底中隔离为至少两个小区；b)在第一小区中形成位于半导体衬底中的属于NMOS器件的第一源极扩展区和第一漏极扩展区，以及在所述半导体衬底上的、位于第一源极扩展区和第一漏极扩展区之间的第一栅极介质层和第一栅电极层；在第二小区中形成位于半导体衬底中的属于PMOS器件的第二源极扩展区和第二漏极扩展区，以及在所述半导体衬底上的、位于第二源极扩展区和第二漏极扩展区之间的第二栅极介质层和第二栅电极层；c)在所述第一源极扩展区和第一漏极扩展区上方、形成第一功函数调谐层，所述第一功函数调谐层的功函数或等效功函数接近或低于硅的导带边缘，在所述第二源极扩展区和第二漏极扩展区上方、形成第二功函数调谐层，所述第二功函数调谐层的功函数或等效功函数接近或大于硅的价带边缘；e)在所述第一区域中形成第一源极区和第一漏极区域，并且在所述第二区域中形成第二源极区和第二漏极区域。