发明名称 | 利用传统工艺制备双面PN结晶硅太阳能电池的方法 | ||
摘要 | 本发明公开了一种利用传统大规模生产线工艺制备双面PN结晶硅太阳能电池的方法,包括:在晶硅基板正面和背面制备绒面结构;将正面和背面均有绒面结构的晶硅基板放置于扩散炉中进行扩散,形成双面PN结;在晶硅基板正面和背面生长Si3N4减反膜;在晶硅基板的背面激光刻蚀形成太阳能电池正极的栅槽;对晶硅基板背面的正、负极电极分别进行丝网印刷,并进行热处理固化;对晶硅基板正面的负极电极进行丝网印刷,并进行热处理固化;合金退火,制备出双面PN结太阳能电池。本发明通过大生产工艺来制备双PN结晶硅电池,利用双PN结来工作,达到高效转换的目的,具有增加的工艺步骤少、能与大生产线上的工艺兼容,易于实现大规模生产的特点。 | ||
申请公布号 | CN101840954A | 申请公布日期 | 2010.09.22 |
申请号 | CN200910080055.7 | 申请日期 | 2009.03.18 |
申请人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明人 | 贾锐;朱晨昕;陈晨;李维龙;张培文;李昊峰;刘明 |
分类号 | H01L31/18(2006.01)I | 主分类号 | H01L31/18(2006.01)I |
代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人 | 周国城 |
主权项 | 一种利用传统大规模生产线工艺制备双面PN结晶硅太阳能电池的方法,其特征在于,该方法包括:步骤101:在晶硅基板正面和背面制备绒面结构;步骤102:将正面和背面均有绒面结构的晶硅基板放置于扩散炉中进行扩散,形成双面PN结;步骤103:在晶硅基板正面和背面生长Si3N4减反膜;步骤104:在晶硅基板的背面激光刻蚀形成太阳能电池正极的栅槽;步骤105:对晶硅基板背面的正、负极电极分别进行丝网印刷,并进行热处理固化;步骤106:对晶硅基板正面的负极电极进行丝网印刷,并进行热处理固化;步骤107:合金退火,制备出双面PN结太阳能电池。 | ||
地址 | 100029 北京市朝阳区北土城西路3号 |